1、贝氏体中位错密度较低,不利于合金碳化物的聚集粗化.
2、透射电子显微镜 ( TEM ) 的研究结果表明,横向外延区域GaN的位错密度明显减小.
3、这些晶格可能有不完善之处, 例如位错和空穴.
4、对于电镀的金属来说, 这些缺陷主要是位错, 孪晶和其沉积的异类,原子或分子基因.